芦宾
副教授、硕士生导师
邮 箱：lubinsxnu@sina.cn
研究方向：现从事新型半导体器件及电路、基于深度学习的半导体器件建模及EDA工具等研究工作
个人简介
芦宾，副教授、硕士生导师，于 2019 年从西安电子科技大学微电子学与固体电子学博士毕业，之后进入mobile28365工作。
现从事新型半导体器件及电路、基于深度学习的半导体器件建模及 EDA 工具等研究工作，近年来先后发表学术期刊论文二十余篇，担任 IEEE Transactions on Electron Devices、IEEE Electron Device Letters、Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics、Engineering Applications of Artificial Intelligence 等期刊的审稿人。
教学情况
本科生教学：先后讲授过的本科生课程有：电子信息专业的《专业外语》、《数字电路》、《电路分析》；人工智能专业的《电工电子技术》；计算机专业的《数字逻辑》；物理学专业的《电工学》；黄昆英才班的《半导体物理学》等。指导本科生发表中文核心论文一篇（固体电子学研究与进展, 2022.12, 42(06):441-448），指导本科生竞赛获奖一项（2024 年（第 17 届）中国老员工计算机设计大赛山西省级赛二等奖，数韵华章系列插图），创新创业项目一项（老员工创新创业训练计划项目，重点（国家级大创项目），基于 TGAM 脑电在线监测数据的 GUI 设计）。
研究生教学：目前（2025 年）指导 6 名硕士研究生，已毕业的 3 名研究生中，1 名继续攻读博士研究生。
学术论文
近五年代表性论文：
(1) Lu Bin, Qiang Hua, Liu Xiaotao, Wang Dawei, Cui Yan, Li Zhu, Sun Jiale, Lu Hongliang. Demonstration of a Ternary Inverter Based on the Novel TDDFET With Dual-Doped Source and Asymmetric Gates[J]. IEEE Transactions on Nanotechnology, 2025, 24: 59-66.
(2) Qiang Hua, Lu Haoran, Liu Xiaotao, Xing Linlin, Lu Bin*. Ternary Logic Units Design Based on the TDDFETs[C]. 2024 IEEE 17th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT), IEEE, Zhuhai, China, 22-25 October 2024: 1-3.
(3) Lu Bin, Ma Xin, Wang Dawei, Chai Guoqiang, Chen Yulei, Li Zhu, Dong Linpeng. A Ternary Inverter Based on Hybrid Conduction Mechanism of Band-to-Band Tunneling and Drift-Diffusion Process[J]. Micromachines, 2024.04, 15(4): 522.
(4) Lu Bin, Liu Xiaotao, Li Zhu, Di Jiayu, Wang Dawei, Chen Yulei, Doing Linpeng, Miao Yuanhao. A novel nanosheet reconfigurable field effect transistor with dual-doped source/drain[J]. Microelectronics Journal, 2024.05, 147: 106178.
(5) Lu Bin, Wang Dawei, Chai Guoqiang, Chen Yulei, Li Zhu, Sun Jiale, Lu Hongliang. A complementary ternary inverter based on the line tunneling field effect transistors[J]. Microelectronics Journal, 2024.03, 145: 106119.
(6) 马鑫, 芦宾*, 董林鹏, 苗渊浩，基于混合导电机制的新型TMOSFET三值逻辑反相器(A novel TMOSFET ternary inverter based on hybrid conduction mechanism) [J]. 物理学报(Acta Physica Sinica). 2023, 72(18): 188501.
(7) Lu Bin, Ma Xin, Wang Dawei, Chai Guoqiang, Dong Linpeng, Miao Yuanhao. A non-quasi-static model for nanowire gate-all-around tunneling field-effect transistors[J]. Chinese Physics B, 2023, 32 (6): 068501.
(8) 糜昊, 马鑫, 苗渊浩, 芦宾*, 新型锗源环栅线隧穿晶体管结构设计及优化(Design and Optimization of the Novel Gate⁃all⁃around Line Tunneling FETs with Germanium Source) [J]. 固体电子学研究与进展(RESEARCH & PROGRESS OF SSE), 2022.12, 42(06):441-448.
(9) Lu Bin, Wang Dawei, Cui Yan, Li Zhu, Chai Guoqiang, Dong Linpeng, Zhou jiuren, Wang Guilei, Miao Yuanhao, Lv Zhijun, Lu Honglaing. A Compact Model for Nanowire Tunneling-FETs[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2022.01, 69(1): 419-426.
(10) 芦宾, 王大为, 陈宇雷, 崔艳, 苗渊浩, 董林鹏, 纳米线环栅隧穿场效应晶体管的电容模型(Capacitance model for nanowire gate-all-around tunneling field-effect-transistors) [J]. 物理学报(Acta Physica Sinica). 2021.11, 70(21): 218501.
(11) Lu Bin, Cui Yan, Guo Aixin, Wang Dawei, Lv Zhijun, Zhou Jjiuren, Miao Yuanhao. Characteristics of InAs/GaSb Line-Tunneling FETs With Buried Drain Technique[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021.04, 68(4): 1537–1541.
主持科研项目
(1) 山西省基础研究计划，面上，202403021211225，互补三值逻辑反相器设计方法研究，2024.07至2027.07，6 万元，主持。
(2) 国家自然科学基金，青年科学基金项目，62004119，纳米线环栅隧穿晶体管原理及非准静态模型研究，2021.01至2023.12，24 万元，主持。
(3) 山西省应用基础研究计划，青年科技研究基金，201901D211400，新型InAs/GaSb 2D-3D量子阱隧穿晶体管，2019.09至2022.09，3 万元，主持。
